制造双载子电晶体的方法

摘要

本发明揭示一种用以制造一双载子电晶体的方法，其应用一标准浅沟渠隔离制造方法以同时形成一垂直双载子电晶体(29)或一横向双载子电晶体(49)于一第一沟渠(5、50)中以及一浅沟渠隔离区域(27、270)于一第二沟渠(7、70)中。此外，该制造方法可同时形成一于该第一沟渠(5、50)中之垂直双载子电晶体(27)，一于一第三沟渠中之横向双载子电晶体(49)以及一于该第二沟渠(7、70)中之浅沟渠隔离区域(27、270)。