固化氢矽倍半烷氧及于奈米尺寸沟渠密实化之方法

摘要

在一半导体基板中之沟渠藉由以下步骤填充：(i)分散一成膜材料于该半导体基板上且进入该等沟渠；(ii)在氧化剂存在下在第一低温持续第一预定时间段固化该经分散之成膜材料；(iii)在氧化剂存在下在第二低温持续第二预定时间段固化该经分散之成膜材料；(iv)在氧化剂存在下在第三高温持续第三预定时间段固化该经分散之成膜材料；及(v)在该半导体基板中形成填充氧化物沟渠。该成膜材料为氢矽倍半烷氧。