发明名称 绝缘闸极型半导体装置及其制造方法
摘要 以往,系使一层金属电极层与元件区域接触,然后在该金属电极层上固接连接线。为减低装置的导通电阻,虽较佳为将金属电极层的膜厚加厚,但图案化的精度有其极限。此外,使用金细线作为连接线时,会有随着时间经过而形成金/铝共晶层,而对元件区域的层间绝缘膜施予压力的问题。本发明系将金属电极层做成两层。第1电极层系如知方式以配合元件区域之微细的间距来予以图案化。另一方面,第2电极层只要与第1电极层接触即可,间距很宽也没有问题。也就是说能将第2电极层形成为希望的膜厚。此外,藉由于打线接合区域下方的第1电极层上配置氮化膜,即使发生因金/铝共晶层而导致的体积膨胀时,也能防止其应力传导至元件区域。
申请公布号 TW200707745 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095127946 申请日期 2006.07.31
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 栉山和成;冈田哲也;及川慎
分类号 H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本