发明名称 微机电元件之制造方法
摘要 本发明系关于一种微机电(Micro electro mechanical system,MEMS)元件之制造方法,可藉由CMOS制程及以介电层为牺牲层获得。本发明方法主要为先形成一元件层于一基板上,该元件层之下层部分为讯号传输线,两端为接地端;元件层之上层为金属薄膜,该讯号传输线与金属薄膜之间为介电层。本发明以介电层为牺牲层,将其蚀刻后,即可释放金属薄膜,制成电容式射频开关或其他元件。
申请公布号 TW200707537 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW094127625 申请日期 2005.08.12
申请人 国立中兴大学 发明人 戴庆良;彭宣榕
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤旺
主权项
地址 台中市南区国光路250号