用于半导体制程之薄膜形成方法及装置

摘要

本发明揭示一种用于一半导体制程之薄膜形成方法，其中将具有带有一自然氧化物薄膜的一目标表面之一目标基板载入一反应室内，同时将该反应室设定在低于一临界温度之一负载温度下，该自然氧化物薄膜在该临界温度下开始稳定化。接着，藉由蚀刻移除该自然氧化物薄膜，同时供应含有氯而不含氟之一蚀刻气体，以及将该反应室设定在一蚀刻压力及低于该临界温度之一蚀刻温度下。然后冲洗该反应室。之后藉由CVD在该目标表面上形成一薄膜，同时供应一薄膜形成气体，并将该反应室设定在一薄膜形成温度下。