| 摘要 |
一种FinFET分离闸EEPROM结构，其系包括一半导体基板及一瘦长半导体鳍板延伸于该基板上方。一控制闸跨越该鳍板、该鳍板之侧壁以及一第一部分，其中该第一部分系属于一介于该鳍板内之一源极与一汲极之间之通道当中，最为接近该汲极的部分。该控制闸系包括一穿隧层以及一浮动电极，该浮动电极上系设置着一第一绝缘层与一第一导电层。一选择闸系跨越该鳍板及该鳍板之侧壁以及该通道之一第二最接近源极部分。该选择闸系包括一第二绝缘层与一第二导电层。该等绝缘层系属于一覆盖该基板与该鳍板主连续绝缘层的数个部分。该等导电层系属于一形成于该绝缘层之连续导电层的数个连续部分。 |
