发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种确保高良率且可靠性高的半导体装置,其中,在半导体基板(1)之表面形成凹部(5),并在绝缘性基板(6)(玻璃等)上形成与该凹部(5)对应的凸部(7)。之后,嵌合凹部(5)与凸部(7),并经由接着剂(8)将半导体基板(1)与绝缘性基板(6)予以接合;将半导体基板(1)之背面予以背研磨而使凸部(7)露出,之后,进行形成通孔(10)、形成贯通电极(14)、形成导电端子(18)、以及切割(dicing)等步骤。此时半导体基板(1)之表面及侧面系由绝缘性基板(6)所被覆(保护)。此外,凸部(7)系具有预定之宽度,切割系在凸部(7)的中点附近进行。
申请公布号 TW200707667 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095127452 申请日期 2006.07.27
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 铃木彰;三荣一
分类号 H01L23/12(2006.01) 主分类号 H01L23/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本