半导体晶圆及其处理方法

摘要

一种半导体晶圆，该半导体晶圆通常为圆形且在该半导体晶圆的一表面上具有一环状剩余区以及由该环状剩余区所包围的一圆形装置区，该环状剩余区系设置于表面之外围边缘部分，该装置区具有设置于其中的复数个半导体装置。圆形凹面系形成在对应于该装置区的该半导体晶圆之背面，且该装置区系相对薄，而该剩余区系相对厚。