| 摘要 |
此SIMOX晶圆制造方法其中之一的制造形态，系一面加热矽晶圆一面注入氧离子，而形成氧之高浓度层，并在由前述氧之高浓度层的形成工程中所得到的前述矽晶圆注入氧离子以形成非晶质层，将前述非晶质层之形成工程中所得到之矽晶圆做热处理以形成填埋氧化膜，在前述非晶质层之形成工程中，系以较前述氧之高浓度层之形成工程的加热温度为低之温度，将前述矽晶圆预先加热之后，再注入前述氧离子。此SIMOX晶圆之制造方法之另外一种形态，系在前述氧之高浓度层的形成工程中，一面将矽晶圆加热至300℃以上，一面注入氧离子，于前述非晶质层之形成工程中，系以未满300℃之温度，将前述矽晶圆预先加热之后，再注入前述氧离子。 |
