发明名称 透过不对称互补金属氧化物半导体主动驱动正常导通正常截止叠接组态装置的技术
摘要 揭示一种透过一叠接电路控制一高电子迁移率电晶体(HEMT)之方法,该叠接电路包括第一及第二开关、连接至第一开关来源之一电容器、连接至该第一开关之汲极的该HEMT之源极、以及用于控制该第一开关及第二开关之一控制器。该方法系经由界定状态A来达成,此处第一开关被控制为OFF结果导致HEMT为OFF,以及第二开关被控制为ON,允许电容器被充电,且将HEMT的汲极电压稳定于约HEMT闸极临界电压。该方法进一步界定状态B,此处第一开关经控制为ON,结果导致HEMT为ON,以及第二开关几乎随时被控制为OFF,藉此保留储存于电容器的电荷。此外,该方法提供从状态A变迁为状态B来将HEMT转为ON;以及由状态B变迁为状态A来将HEMT转为OFF,其中该第一开关被切换为OFF,以及该第二开关被切换为ON,允许第一开关的输出电容从电容器更快速充电来维持HEMT OFF。
申请公布号 TW200707703 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095122970 申请日期 2006.06.26
申请人 国际整流器公司 发明人 萨拉多 毛里兹欧;萨丹诺 马可
分类号 H01L27/02(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国