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发明名称
凸矽光二极体
摘要
一固定光二极体,其中包含一作为保护层(passivating layer)之凸矽磊晶层,基于此保护层,本发明将使N–型区域可更接近半导体基底之表面,从而提升与传导闸间之联结。此固定光二极体包含一形成于半导体基底表面P型区域之N–型区域,且形成一磊晶层于该半导体基底之上层表面。
申请公布号
TW200707807
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095122818
申请日期
2006.06.23
申请人
欧尼影像科技股份有限公司
发明人
霍沃德E. 罗德兹
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
林静文
主权项
地址
美国
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