发明名称 凸矽光二极体
摘要 一固定光二极体,其中包含一作为保护层(passivating layer)之凸矽磊晶层,基于此保护层,本发明将使N–型区域可更接近半导体基底之表面,从而提升与传导闸间之联结。此固定光二极体包含一形成于半导体基底表面P型区域之N–型区域,且形成一磊晶层于该半导体基底之上层表面。
申请公布号 TW200707807 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095122818 申请日期 2006.06.23
申请人 欧尼影像科技股份有限公司 发明人 霍沃德E. 罗德兹
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林静文
主权项
地址 美国