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发明名称
具有贯通电极之半导体装置及其制造方法
摘要
一种制造具有贯通电极之半导体装置之方法,包括于基板31形成贯通孔36,从基板之一个表面侧形成第一金属层39,超过于基板之一表面上的保护膜40,利用从基板的另一表面施加的第二金属电镀层42,同时使用第一金属层作为馈电层,来经由以第二金属填补贯通孔而形成贯通电极,去除保护膜40,去除位在贯通电极周边部以外区域的第一金属层39。
申请公布号
TW200707643
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095121568
申请日期
2006.06.16
申请人
新光电气工业股份有限公司
发明人
春原昌宏;东光敏;白石晶纪;口秀明
分类号
H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
日本
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