发明名称 具有贯通电极之半导体装置及其制造方法
摘要 一种制造具有贯通电极之半导体装置之方法,包括于基板31形成贯通孔36,从基板之一个表面侧形成第一金属层39,超过于基板之一表面上的保护膜40,利用从基板的另一表面施加的第二金属电镀层42,同时使用第一金属层作为馈电层,来经由以第二金属填补贯通孔而形成贯通电极,去除保护膜40,去除位在贯通电极周边部以外区域的第一金属层39。
申请公布号 TW200707643 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095121568 申请日期 2006.06.16
申请人 新光电气工业股份有限公司 发明人 春原昌宏;东光敏;白石晶纪;口秀明
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本