具混合晶向之通道及源极/汲极区的场效电晶体

摘要

提供可制作互补式金氧半导体电路的混合晶向基板，其中n型场效电晶体(n–FET)系设置在最佳化电子迁移率的半导体晶向中，而p型场效电晶体(p–FET)则设置在最佳化电洞迁移率的半导体晶向中。本发明系揭示仅需将装置通道设在具最佳化晶向的半导体中，即可达成整体形成在最佳化半导体晶向中之FET的性能优点。本发明描述新式FET结构的各种变化，其皆具有以下特征：至少一部份FET通道的晶向不同于至少一部份FET源极／汲极的晶向。本发明也描述可纳入这些新式FET中的混合基板及其制造方法。