发明名称 形成干涉条纹及干涉图案之方法
摘要 本发明系关于一种形成干涉条纹之曝光方法以及于光阻材料上形成干涉图案之方法。该曝光方法系利用在第一次曝光程序中曝光后之光阻做为第二次曝光程序之第二道光罩,与实体光罩配合后可以使第二次曝光之光束产生干涉条纹。藉此,可减少光罩数目,而且易于控制该干涉条纹。
申请公布号 TW200707114 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW094127619 申请日期 2005.08.12
申请人 奇菱科技股份有限公司 发明人 林俊宏
分类号 G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 台南县仁德乡德仑路71号