| 摘要 |
本发明系提供一种制造半导体装置之方法，包括在半导体基板上方形成包含氧氮化矽薄膜之终止层(stoplayer)(32)；在该终止层之间及之上形成覆盖薄膜(34)，其中在该等终止层之间之区域上方之该覆盖薄膜的顶面系高于该等终止层之顶面；以及藉由使用氧化铈研磨液(ceria slurry)研磨该覆盖薄膜至该等终止层。本发明亦提供一种半导体装置，包括设置在半导体基板上方之金属层(30)、设置在该等金属层(30)上之氧氮化矽薄膜(32)、以及设置在该等金属层之间的嵌埋层(embeddedlayer)(36)，使该嵌埋层(36)之顶面实质上与该等氧氮化矽薄膜之顶面共面(coplanar)。根据本发明，得以提供其表面上具有极佳平坦化薄膜之半导体装置以及其制造方法。 |
