半导体装置之制造方法及半导体装置

摘要

本发明系使具有多层层积晶片之结构之半导体装置薄型化。本发明于聚焦之状态下向半导体晶圆1W之半导体基板1S内部照射雷射光而形成改质区域PL。继而，藉由旋转涂布法于半导体晶圆1W之背面涂布液状之黏接材料后，使其乾燥而形成固体状之黏接层8a。其后，将上述改质区域PL作为分割起点而将半导体晶圆1W分割为各个半导体晶片。藉由其背面之黏接层8a将该半导体晶片黏接至其他半导体晶片之主面上，而制造具有多层层积半导体晶片之构造的半导体装置。