氮化物半导体元件

摘要

本发明提供一种基板，其系使用矽(Si)之氮化物系半导体元件，其正方向电压(Vf)比先前低。本发明之于矽基板1002上包含氮化物半导体层1003之氮化物系半导体元件1001，其主动区域中包含矽基板1002之至少一部分与氮化物半导体层1003，且矽基板1002中之主动区域之导电型系p型。此外，于矽基板1002上包含氮化物半导体层1003之氮化物系半导体元件1001，其主动区域中包含矽基板1002之至少一部分与氮化物半导体层1003，且矽基板1002中之主动区域之许多载子系电洞(hole)。