| 发明名称 |
具有改良导通电阻与崩溃电压效能之半导体结构 |
| 摘要 |
在一实施例中，一侧向FET单元形成于半导体材料之一主体中。该侧向FET单元包括一超接合结构，其形成于在一汲极接触区与一主体区之间的一漂移区中。该超接合结构包括复数个空间隔离的填充渠沟，其部分地束缚具有相反或交替传导类型之多重条带状掺杂区。 |
| 申请公布号 |
TW200707560 |
申请公布日期 |
2007.02.16 |
| 申请号 |
TW095120222 |
申请日期 |
2006.06.07 |
| 申请人 |
半导体组件工业公司 |
发明人 |
杜尚晖;詹姆士 亚当斯;莫哈米德 库德斯;罗杰斯S 耐尔 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
