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经营范围
发明名称
半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析程式
摘要
藉由:取得半导体装置之不良观察影像P2的检查资讯取得部11;和取得布局资讯的布局资讯取得部12;和针对半导体装置之不良进行解析的不良解析部13;和将解析结果资讯显示于显示装置40的解析画面显示控制部14,来构成不良解析装置10。不良解析部13,系参照不良观察影像P2来设定解析领域,同时,针对半导体装置之布局中所含之复数网路,将通过解析领域的网路予以抽出。藉此,实现了能确实且效率良好地进行半导体装置之不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、及解析程式。
申请公布号
TW200708069
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095122503
申请日期
2006.06.22
申请人
滨松赫德尼古斯股份有限公司
发明人
真岛敏幸;濑朗;寺田浩敏;堀田和宏;武田雅裕
分类号
H04N3/15(2006.01);H01L21/66(2006.01)
主分类号
H04N3/15(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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