用于制造薄(铝,铟,镓)氮层之蚀刻技术

摘要

本发明系关于一种用于制造薄(铝，铟，镓)氮层之蚀刻技术。选择一合适模板或基板且于一所要区域上植入异质离子以产生离子植入材料。接着，在该植入模板或基板上执行装置结构之再成长。使该模板之顶部成长表面结合至一载体晶圆，产生一经结合模板／载体晶圆结构。移除该基板及任何残余材料而暴露该离子植入材料。接着，使该经结合模板／载体晶圆结构上之离子植入材料暴露于一合适蚀刻剂一段足以移除该离子植入材料之时间。