单板制程用之整合化学机械抛光组成物及方法

摘要

本发明系关于用于自其上具有铜及障壁层材料之微电子装置基板将该等材料移除的化学机械抛光(CMP)组成物及CMP单板制程。此制程包括将用于将铜选择性地移除及平坦化的步骤I浆液配方在单一CMP板垫上于原位转变为用于选择性地移除障壁层材料的步骤II浆液配方。