发明名称 半导体积体电路装置
摘要 在本发明之半导体积体电路装置中,在多数外部端子中,在被施加比其他外部端子更高电压之第1外部端子(在图例中,为VCC、U、V、W),作为与其邻接之其他外部端子,配设由电晶体Q1之一端执行对应于其导通/切断之控制脉冲信号之输出之第2外部端子(在图例中,为FG),且在第2外部端子,设有过电压保护电路(R1、R2、Q2、AND),其系在其端子电压达到特定临限值时,阻断其导通/切断控制信号,而使电晶体Q1一直处于切断状态者。藉此,不必设置冗长之外部端子,即可防止互相相邻之外部端子间之短路时之破坏。
申请公布号 TW200707895 申请公布日期 2007.02.16
申请号 TW095124344 申请日期 2006.07.04
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 柳岛大辉
分类号 H02P4/00(2006.01);H01L23/50(2006.01) 主分类号 H02P4/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本