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发明名称
非挥发性储存中之耦合补偿
摘要
由于基于相邻浮动闸极或其他相邻电荷储存元件中所储存之电荷的一电场之耦合,可发生一非挥发性记忆体单元之一浮动闸极或其他电荷储存元件上所储存的表观电荷之移位。在不同时间已加以程式化之相邻记忆体单元组之间最明显地发生该问题。为了补偿此耦合,一特定记忆体单元之读取过程将考虑一相邻记忆体单元之程式化状态。
申请公布号
TW200707437
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095112035
申请日期
2006.04.04
申请人
桑迪士克股份有限公司
发明人
陈贞;朗尔-艾德里安 赛内;吉特佳 希明克
分类号
G11C11/56(2006.01);G11C16/06(2006.01)
主分类号
G11C11/56(2006.01)
代理机构
代理人
黄章典;楼颖智
主权项
地址
美国
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