经黏结之中间基材及其制法

摘要

本发明系关于一种中间基材，其包括一黏结至一薄层的处理基材(handle substrate)，其中该薄层系适合用于诸如III族氮化物半导体层之合成半导体层之磊晶成长。该处理基材可为金属或金属合金基材，例如钼或钼合金基材，而该薄层可为蓝宝石层。一种制造该中间基材之方法包括：在源基材中形成一弱界面，将该源基材黏结至处理基材上，及使该薄层自该源基材脱落以使得该薄层保持黏结至处理基材上。