Method for etching the dielectric layer of flash memory device,申请号KR20040115684-传众专利搜索

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发明名称	Method for etching the dielectric layer of flash memory device
摘要
申请公布号	KR100684452(B1)	申请公布日期	2007.02.16
申请号	KR20040115684	申请日期	2004.12.29
申请人		发明人
分类号	H01L21/3065;H01L27/115	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人
主权项
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