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LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO (10) PROVISTO DE UNA CAMARA DE DEPOSICION (12) QUE TIENE DOS ELECTRODOS (13, 14); UNO DE ELLOS INCLUYE UN SOPORTE (16) PARA UN SUSTRATO (17) Y ESTA CONECTADO A TIERRA, MIENTRAS QUE EL OTRO ESTA CONECTADO A UN GENERADOR ELECTRICO DE RADIOFRECUENCIA (15). EL DISPOSITIVO POSEE MEDIOS (23) PARA EXTRAER EL GAS DE LA CAMARA (12) Y MEDIOS DE ALIMENTACION DE GAS (18). ESTE DISPOSITIVO COMPRENDE ADEMAS MEDIOS DE DEPURACION (31) DE LOS GASES INTRODUCIDOS EN LA CAMARA PREPARADOS PARA REDUCIR EL NUMERO DE ATOMOS DE OXIGENO CONTENIDOS EN EL GAS DE DEPOSITO, QUE ESTA FORMADO POR SILANO, HIDROGENO, ARGON O LAS TRES COSAS. EL METODO CONSISTE EN HACER EL VACIO EN LA CAMARA DE DEPOSITO (12), PURIFICAR EL GAS CON LOS MEDIOS DE DEPURACION (31), INTRODUCIR ESTOS GASES PURIFICADOS EN LA CAMARA (12) Y GENERAR UN PLASMA ENTRE LOS ELECTRODOS (13, 14). DE ESTE MODO SE DEPOSITA EN EL SUSTRATO UNA CAPA DE SILICIO MICROCRISTALINO INTRINSECO.
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