| 摘要 |
Ein Verkapselungsverfahren beinhaltet ein Ultraschallkontaktieren einer Halbleitervorrichtung und eines Substrats zusammen über Kontaktierungsflecken, die Gold als eine Hauptkomponente vn diesen beinhalten. Eine Kontaktoberfläche eines primären Kontaktierungsflecken auf einer Oberfläche einer Aluminiumanschlussfläche auf einer Seite des Substrats kontaktiert eine distale Endoberfläche von jedem gegenüberliegenden sekundären Kontaktierungsflecken auf einer Seite der Halbleitervorrichtung und ist mittels Ultraschall mit diesem verbunden. Ein Bereich der Kontaktoberfläche ist größer als die gegenüberliegende distale Endoberfläche. Durch dieses Verfahren kann eine Beschädigung des Substrats aufgrund des Ultraschalls verringert werden, ohne eine Verstärkungsschicht zu verwenden. |
