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Die Erfindung bezieht sich auf ein integriertes Schaltkreisbauelement mit einer vertikalen Diode, das ein integriertes Schaltkreissubstrat (1), eine isolierende Schicht (8) auf dem integrierten Schaltkreissubstrat (1), eine Kontaktöffnung (9a), welche die isolierende Schicht durchdringt, und eine vertikale Diode (D) beinhaltet, sowie auf eine entsprechende Phasenänderungsspeicherzelle und ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist die vertikale Diode (D) in einem unteren Bereich der Kontaktöffnung (9a) ausgebildet und eine untere Elektrode (19a) ist in der Kontaktöffnung ausgebildet und weist eine Unterseite auf einer Oberseite der vertikalen Diode auf, wobei die untere Elektrode selbstjustiert zu der vertikalen Diode ist und eine Oberseitenfläche aufweist, die kleiner als eine horizontale Querschnittsfläche der Kontaktöffnung ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für integrierte Speicherschaltkreisbauelemente mit Phasenänderungsspeicherzellen.
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