| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR LATERALEN ISOLATION EINER AKTIVEN REGION EINES MOS TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69737186(D1) |
申请公布日期 |
2007.02.15 |
| 申请号 |
DE19976037186 |
申请日期 |
1997.06.26 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
DELEONIBUS, SIMON |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/762;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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