| 发明名称 | 掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法，采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体，其特征是加热方式采用石墨发热体，或炉膛内充入CO或H<SUB>2</SUB>还原性气体，或原料配比中加入高价态的Si<SUP>4+</SUP>或Zr<SUP>4+</SUP>离子。本发明方法提高了晶体中产生1.0～1.5μm可饱和吸收带的四面体格位V<SUP>3+</SUP>离子占所有V离子的比例。 | ||
| 申请公布号 | CN1912195A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610029502.2 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 苏良碧;李红军;张丹;徐军 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01) | 主分类号 | C30B29/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种掺钒钇铝石榴石晶体的生长方法，采用传统的提拉法、坩埚下降法或温度梯度法生长V:YAG晶体，其特征是V:YAG晶体生长过程中的加热方式采用石墨发热体，或炉膛内充入CO或H2还原性气体，或原料配比中加入高价态的Si4+或Zr4+ 离子。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||