| 发明名称 | 包括磁阻结构的一部分的装置和存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包括磁阻结构一部分的装置和一种存储装置。所述磁阻结构的所述部分包括：形成在一衬底上的氧化籽层；以及形成在所述氧化籽层上的自由层，所述自由层包括直接形成在所述氧化籽层上的磁性阻挡层，所述自由层还包括直接形成在磁性阻挡层上的磁性层，所述磁性阻挡层禁止所述磁性层与所述氧化籽层之间的反应，所述磁性阻挡层的厚度小于15埃。本发明改善了自旋阀的热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1300770C | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN00134869.8 | 申请日期 | 2000.12.05 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 穆斯塔法·皮纳巴斯 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种包括磁阻结构的一部分的装置，所述磁阻结构的所述部分包括：形成在一衬底上的氧化籽层；以及形成在所述氧化籽层上的自由层，所述自由层包括直接形成在所述氧化籽层上的磁性阻挡层，所述自由层还包括直接形成在磁性阻挡层上的磁性层，所述磁性阻挡层禁止所述磁性层与所述氧化籽层之间的反应，所述磁性阻挡层的厚度小于15。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||