| 发明名称 | 变电阻元件和使用其的非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理时，电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非易失性存储器。具体地说，本发明提供的非易失性存储器(1)由具有以化学式RMCoO<SUB>3</SUB> (其中：R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层，和与所述材料层电连接的作为两个电极的第一电极和第二电极构成，同时，(2)具有变电阻元件晶体管，所述变电阻元件与晶体管电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1914733A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200580003381.8 | 申请日期 | 2005.09.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 菅野勉;小田川明弘;杉田康成;酒井章裕;足立秀明 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);G11C13/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种制造方法，制造变电阻元件，该变电阻元件由材料层；和作为电连接所述材料层的两个电极的第一电极和第二电极构成，通过在第一电极与第二电极之间施加电流或电压而改变材料层的电阻，该制造方法包括：(1)形成第一电极的第一电极形成工序；(2)在第一电极上，形成具有以化学式：RMCoO3(其中R表示稀土类元素，M表示碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层的材料层形成工序；(3)在氧气氛中加热材料层的氧处理工序；和(4)在经过氧处理工序的材料层上形成第二电极的第二电极形成工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||