| 发明名称 | 检测半导体晶片上局部失效的测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于测试包括半导体芯片的晶片的方法。与晶片上过滤失效半导体芯片的空间相关组相关地确定晶片是否有缺陷，其中所述空间相关组对应于晶片上的局部失效且用来计算缺陷指数值。 | ||
| 申请公布号 | CN1913118A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610108737.0 | 申请日期 | 2006.08.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜重旭;郑光雄 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01R31/00(2006.01);G01R31/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种适于测试含有半导体芯片的晶片的方法，该方法包括：产生表明失效半导体芯片的晶片图；从所述晶片图产生表明过滤失效半导体芯片的过滤晶片图；从所述过滤晶片图计算缺陷指数值；以及将所述缺陷指数值与临界上限比较。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||