| 发明名称 | 静电放电保护设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种ESD保护设备及其制造方法。该ESD保护设备包括第一和第二器件隔离层、第一和第二高浓度第二导电类型杂质区、高浓度第一导电类型杂质区、以及低浓度第一导电类型杂质区。在第一导电类型的半导体衬底上的场区中形成该第一和第二器件隔离层。第一和第二高浓度第二导电类型杂质区形成在第一导电类型半导体衬底上。高浓度第一导电类型杂质区形成在位于第二高浓度第二导电类型杂质区的一侧上的部分第一半导体衬底上。低浓度第一导电类型杂质区形成在位于第一高浓度第二导电类型杂质区的下部的部分半导体衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1913157A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610111006.1 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 金山弘 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种ESD(静电放电)保护设备，包括：第一和第二器件隔离层，在第一导电类型半导体衬底上的场区中形成；第一高浓度第二导电类型杂质区和第二高浓度第二导电类型杂质区，由第一器件隔离层所隔离，并形成在第一导电类型半导体衬底中；高浓度第一导电类型杂质区，由第二器件隔离层所隔离，并形成在位于第二高浓度第二导电类型杂质区的一侧上的部分第一半导体衬底上；以及低浓度第一导电类型杂质区，形成在位于第一高浓度第二导电类型杂质区的下部的部分半导体衬底中，以降低击穿电压。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||