发明名称 磁盘及其制造方法
摘要 公开了一种制造磁盘的方法,该磁盘在其基底上具有磁性层、保护层和润滑层。该方法中,将润滑剂α进行分子量分级,以制备重均分子量(Mw)为3000~7000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂a,该润滑剂α含有由化学式HO-CH<SUB>2</SUB>-CH(OH)-CH<SUB>2</SUB>-O-CH<SUB>2</SUB>-CF<SUB>2</SUB>(-O-C<SUB>2</SUB>F<SUB>4</SUB>)<SUB>p</SUB>-(O-CF<SUB>2</SUB>)<SUB>q</SUB>-O-CF<SUB>2</SUB>-CH<SUB>2</SUB>-O-CH<SUB>2</SUB>-CH(OH)-CH<SUB>2</SUB>-OH表示的化合物,其中的p和q为自然数,和由化学式HO-CO<SUB>2</SUB>-CF<SUB>2</SUB>-(-O-C<SUB>2</SUB>F<SUB>4</SUB>)<SUB>m</SUB>-(O-CF<SUB>2</SUB>)<SUB>n</SUB>-O-CF<SUB>2</SUB>-CH<SUB>2</SUB>-OH表示的化合物,其中的m和n为自然数;将润滑剂β进行分子量分级,以制备重均分子量(Mw)为2000~5000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂b,该润滑剂β含有由化学式HO-CH<SUB>2</SUB>-CF<SUB>2</SUB>(-O-C<SUB>2</SUB>F<SUB>4</SUB>)<SUB>m</SUB>-(O-CF<SUB>2</SUB>)<SUB>n</SUB>-O-CF<SUB>2</SUB>-CH<SUB>2</SUB>-OH表示的化合物,其中的m和n为自然数;制备含有润滑剂a和b的混合物的润滑剂c;并在施加在基底上的保护层上形成润滑剂c的膜,以形成润滑层。还公开了一种磁盘,该磁盘在其基底上具有磁性层、保护层和润滑层,其中润滑层在保护层上形成。
申请公布号 CN1300774C 申请公布日期 2007.02.14
申请号 CN200410032656.8 申请日期 2004.03.31
申请人 HOYA株式会社;HOYA(新加坡)磁学有限公司 发明人 下川贡一;石山雅史
分类号 G11B5/725(2006.01) 主分类号 G11B5/725(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 韦欣华;徐雁漪
主权项 1、一种制造磁盘的方法,该磁盘包括基底,在基底上的磁性层、保护层和润滑层,其中将润滑剂α进行分子量分级,以制备重均分子量Mw为3000~7000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂a,该润滑剂α含有由化学式1表示的化合物:HO-CH2-CH(OH)-CH2-O-CH2-CF2(-O-C2F4)p-(O-CF2)q-O-CF2-CH2-O-CH2-CH(OH)-CH2-OH 化学式1其中的p和q为自然数,和由化学式2表示的化合物: HO-CH2-CF2(-O-C2F4)m-(O-CF2)n-O-CF2-CH2-OH 化学式2其中的m和n为自然数;将润滑剂β进行分子量分级,以制备重均分子量Mw为2000~5000、且分子量离差小于或等于1.2的润滑剂b,该润滑剂β含有由化学式3表示的化合物: HO-CH2-CF2(-O-C2F4)m-(O-CF2)n-O-CF2-CH2-OH 化学式3其中的m和n为自然数;制备含有润滑剂a和b的混合物的润滑剂c;并在基底上的保护层之上形成润滑剂c的膜,以形成润滑层。
地址 日本东京都