发明名称 | 互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构 | ||
摘要 | 本发明涉及互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构,该互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构包括一基底、多个光感测元件、多个晶体管与多个彩色滤光膜。基底具有一像素阵列区,像素阵列区是由多个像素所构成,每一个像素具有光感测区以及有源元件区,且像素之间以一隔离结构区隔,其中光感测区具有不同的尺寸。另外,多个光感测元件分别定义于光感测区中。多个晶体管配置于有源元件区中。多个彩色滤光膜分别配置于相对应的像素上方,以形成彩色滤光阵列。 | ||
申请公布号 | CN1913165A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
申请号 | CN200510089664.0 | 申请日期 | 2005.08.08 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴心平;林家辉 |
分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构,包括:一基底,该基底具有一像素阵列区,该像素阵列区是由多个像素所构成,每一该些像素具有一光感测区以及一有源元件区,且该些像素之间以一隔离结构区隔,其中该些光感测区具有不同的尺寸;多个光感测元件,分别定义于每一该些光感测区中;多个晶体管,配置于每一该些有源元件区中;以及多个彩色滤光膜,分别配置于相对应的该些像素上方,以形成一彩色滤光阵列。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |