| 发明名称 | 具有改善接触加工裕度的结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明具体涉及具有改善接触加工裕度的结构的半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤：(a)选择性蚀刻半导体衬底上的第一绝缘层和导电层，以形成第一绝缘图案、第一导电图案和第二导电图案；(b)在第一绝缘图案、第一导电图案和第二导电图案的侧壁上形成隔离层；(c)将第二绝缘层沉积在包括图案的衬底的整个表面上，并利用光刻胶图案干蚀刻第二绝缘层，以形成第二绝缘图案；(d)清除光刻胶图案并在暴露的衬底和第二导电图案上形成第一自对准金属硅化物和第二自对准金属硅化物；(e)将第三绝缘层沉积在包括图案的衬底的整个表面上，并选择性蚀刻第三绝缘层，以形成连接第一自对准金属硅化物层和第二自对准金属硅化物层的第一接触和第二接触；其中形成步骤(c)的第二绝缘图案，以完全暴露第二导电图案的上表面，并且形成步骤(d)的第二自对准金属硅化物，以完全覆盖第二导电图案的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1913126A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610112122.5 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 金大均;朴正浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/8244(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L27/11(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)选择性蚀刻半导体衬底上的第一绝缘层和导电层，以形成第一绝缘图案、第一导电图案和第二导电图案；(b)在第一绝缘图案、第一导电图案和第二导电图案的侧壁上形成隔离层；(c)将第二绝缘层沉积在包括图案的衬底的整个表面上，并利用光刻胶图案干蚀刻第二绝缘层，以形成第二绝缘图案；(d)清除光刻胶图案并在暴露的衬底和第二导电图案上形成第一自对准金属硅化物和第二自对准金属硅化物；(e)将第三绝缘层沉积在包括图案的衬底的整个表面上，并选择性蚀刻第三绝缘层，以形成连接第一自对准金属硅化物层和第二自对准金属硅化物层的第一接触和第二接触；其中形成步骤(c)的第二绝缘图案，以完全暴露第二导电图案的上表面，并且形成步骤(d)的第二自对准金属硅化物，以完全覆盖第二导电图案的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||