| 发明名称 | 非易失半导体存储器 | ||
| 摘要 | 在半导体基底上形成栅极绝缘膜(14)。在栅极绝缘膜(14)上形成浮动栅极(15)。浮动栅极(15)具有基本为三角形的、沿着一个平面得到的截面，该平面以平行于半导体基底上的第一方向并且垂直于半导体基底的方式延伸，并且具有与栅极绝缘膜接触的底部和从底部的端部向上延伸的两个倾斜侧。一对控制栅极(17，17)与浮动栅极(15)的两个倾斜侧上形成的栅极间绝缘膜(16)接触。浮动栅极(15)适于由与该对控制栅极(17，17)的电容性耦合驱动。 | ||
| 申请公布号 | CN1300852C | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200410036691.7 | 申请日期 | 2004.04.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 作井康司;白田理一郎;荒井史隆;市毛正之 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种非易失半导体存储器，其特征在于包括：具有浮动栅极和一对控制栅极的存储器单元，浮动栅极形成在栅极绝缘膜上，而栅极绝缘膜形成在半导体基底上，浮动栅极具有沿着一个平面得到的截面，该平面以平行于半导体基底上的第一方向并且垂直于半导体基底的方式延伸，浮动栅极还具有与栅极绝缘膜接触的底部，和两个从底部的端部向上延伸的倾斜侧，而该对控制栅极与浮动栅极的两个倾斜侧上形成的栅极间绝缘膜接触，其中浮动栅极适于通过与该对控制栅极的电容性耦合来驱动。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||