制作集成半导体结构的方法

摘要

本发明提供制作在具有不同晶体取向的SOI衬底上的集成半导体器件，对特定的器件可提供优化的性能．具体说来，所提供的集成半导体结构至少包含一个SOI衬底，校衬底具有第一晶体取向的上半导体层和第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料层与上半导体层基本上是共面的并有基本相同的厚度，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同，此SOI衬底由晶片键合、离子注入和退火制成。

主权项

1.一种制作集成半导体结构的方法，包括：提供SOI衬底，该衬底包含由绝缘层隔离的第一晶体取向的上半导体层和第二晶体取向的下半导体层，所述第一晶体取向与所述第二晶体取向不同；在SOI衬底中至少制作一个开孔来露出下半导体层表面；在所述露出的下半导体层表面上生长半导体材料，所述半导体材料的晶体取向与第二晶体取向相同；用离子注入和退火在所述半导体材料中制作绝缘埋层区，所述绝缘埋层区将半导体材料与下半导体层隔离；以及对注入后的半导体材料平面化来提供一种结构，其中具有第二晶体取向的半导体材料与上半导体层共面并有相同的厚度。