| 发明名称 | 连接结构及用于制造其的方法 | ||
| 摘要 | 一种至少部分地形成在半导体衬底中的沟槽电容器的存储电极与选择晶体管之间的连接结构，包括：与存储电极的表面相邻布置的中间层部分；与中间层相邻布置并且电连接到与选择晶体管相邻的半导体衬底表面部分的导电材料，其中该连接结构的一部分高于该半导体衬底表面布置，从而与水平衬底表面部分相邻。 | ||
| 申请公布号 | CN1913161A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610109164.3 | 申请日期 | 2006.08.03 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | L·黑内克;M·波普 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种至少部分地形成在半导体衬底中的沟槽电容器的存储电极与选择晶体管之间的连接结构，该连接结构包括：与存储电极的表面相邻布置的中间层部分；和与中间层相邻布置并且电连接到与选择晶体管相邻的半导体衬底表面部分的导电材料，其中该连接结构的一部分高于半导体衬底表面布置，从而与水平衬底表面部分相邻。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||