使用可去除硬掩模制造光罩的方法

摘要

我们已经减小了光罩制造的临界尺寸偏差。向光罩衬底辐射阻挡层的图案转移基本依赖于从硬掩模的转移而不是从光刻胶的转移。在向硬掩模的图案转移过程中发生的光刻胶缩进被最小化。此外，当硬掩模材料具有与辐射阻挡层的反射特性相匹配的抗反射性能时，能够减小临界尺寸大小，并且可以改进对于硬掩模自身中的图案特征完整性。当光罩被用于半导体器件制造工艺时，留在辐射阻挡层上的抗反射硬掩模层提供了功能性。

主权项

1.一种减小光罩制造过程中临界尺寸的偏差的方法，包括：(a)提供光罩起始衬底，其包括基底衬底层、上覆于所述基底衬底层的辐射阻挡层、上覆于所述辐射阻挡层的至少一个硬掩模层、和上覆于所述硬掩模层的化学放大光刻胶层；(b)将潜像直接刻画到所述化学放大光刻胶层中；(c)将所述包含所述潜像的光刻胶显影成图案化的光刻胶；(d)使用等离子体刻蚀技术将图案从所述光刻胶转移到所述至少一个硬掩模层；以及(e)使用等离子体刻蚀技术将所述图案从所述至少一个硬掩模层转移到所述辐射阻挡层，由此，图案化之后的所述辐射阻挡层的临界尺寸较所述显影光刻胶临界尺寸的增大为约7％或更小。