| 发明名称 | 薄膜导体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。 | ||
| 申请公布号 | CN1913146A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200610112109.X | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵范锡;李制勋;郑敞午;裵良浩 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种薄膜导体，包括：粘附层，用于将所述薄膜导体粘附到基板上，所述粘附层含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于所述粘附层上；以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||