发明名称 |
快速烧结(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)<SUB>1-x</SUB>(TiO<SUB>2</SUB>)<SUB> x</SUB>体系陶瓷的工艺 |
摘要 |
快速烧结(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)<SUB>1-x</SUB>(TiO<SUB>2</SUB>)<SUB>x</SUB>体系陶瓷的工艺属于(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)<SUB>1-x</SUB>(TiO<SUB>2</SUB>)<SUB>x</SUB>体系介电陶瓷制备领域。本发明包括以下步骤:将Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>和TiO<SUB>2</SUB>粉料按配比(1-x)Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>∶xTiO<SUB>2</SUB>在x=0.01-0.13摩尔比的范围内进行配料,然后经球磨混合并烘干后,在1200℃下预烧12小时,再将预烧后的粉料球磨并烘干;将质量浓度为3%的聚乙烯醇(PVA)胶掺入烘干后的粉料,胶重量为粉料总重量的6%,在200兆帕压力下,压制成片状坯体;以100℃/小时的速率升温至1550℃,并保温1小时,然后以150℃/小时的速率降至室温,最终烧结成致密的片状陶瓷体。本工艺优势:制备周期明显缩短,效率大大提高了;制备所需能耗也大幅度地降低了;在TiO<SUB>2</SUB>掺杂摩尔浓度x≤0.13范围内,各组分的介电系数都有较大提高;在x≤0.13范围内的烧结,有多个组分的介电常数大于100,提供了较大范围的选择性。 |
申请公布号 |
CN1300050C |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN200510064776.0 |
申请日期 |
2005.04.22 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王越;朱学文;蒋毅坚 |
分类号 |
C04B35/462(2006.01);C04B35/64(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/462(2006.01) |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
1、一种快速烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系陶瓷的工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)将Ta2O5和TiO2粉料按摩尔配比(1-x)Ta2O5∶xTiO2在x=0.01-0.13的范围内进行配料,然后经球磨混合并烘干后,在1200℃下预烧12小时,再将预烧后的粉料进行球磨,并烘干;(2)将质量浓度为3%的聚乙烯醇胶掺入烘干后的粉料,胶的重量为粉料总重量的6%,在200兆帕压力下,压制成直径为13mm、厚度为2mm的片状坯体;(3)以100℃/小时的速率升温至1550℃,并保温1小时,然后以150℃/小时的速率降至室温,最终烧结成致密的片状陶瓷体。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |