| 发明名称 | 含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及GaN等含镓氮化物块状单结晶在碳化硅等异质基板上成长的方法，在高加压釜中形成含有碱金属离子的超临界氨溶剂，在该超临界氨中溶解含有镓的供料，在比超临界溶剂中溶解含镓供料时更高温及/或更低压条件下，自溶解上述供料的超临界溶液中将含镓氮化物结晶在以异质基板作为晶种的上，该晶种在组成元素中不含有氧气且a0轴的晶格常数为2.8～3.6。依此，在有导电性基板上可以形成氮化镓系化合物的半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1300388C | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN02801952.0 | 申请日期 | 2002.06.06 |
| 申请人 | 波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 罗伯特·德威林斯基;罗曼·多拉辛斯基;哲兹·卡兹尼斯基;莱哲克·西芝普陶斯基;神原康雄 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B7/10(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法，其特征在于：在高压釜中形成含有碱金属离子的超临界氨溶剂、在该超临界氨溶剂中溶解含镓原料、在比超临界溶剂溶解含镓原料更高温及/或更低压的条件下，使溶解有上述原料的超临界溶液中的含镓氮化物，在构成元素中不含氧且a0轴的晶格常数为2.8～3.6的晶种面上形成结晶。 | ||
| 地址 | 波兰华沙 | ||