发明名称 |
存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统 |
摘要 |
本发明提供一种存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统。所述存储装置,包括第一存储单元阵列、第二存储单元阵列以及第三存储单元阵列。第一存储单元阵列是用以储存至少一码。第二存储单元阵列是用以储存较码为更常更新的至少一数据。第三存储单元阵列是用以储存多个地址映射信息,地址映射信息是用以指出第二存储单元阵列中存储单元所对应的位置的信息。第二存储单元阵列大体较第一存储单元阵列可持续更多的程序周期。本发明将高持久存储单元与一般存储单元结合可将非易失性存储装置的使用面积以及成本最佳化。 |
申请公布号 |
CN1913039A |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN200610104374.3 |
申请日期 |
2006.08.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
池育德;王清煌 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/06(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种存储装置,其特征在于,所述存储装置包括:一第一存储单元阵列,用以储存至少一码;一第二存储单元阵列,用以储存至少一数据,上述数据是较上述码为更常更新;以及一第三存储单元阵列,用以储存多个地址映射信息,上述地址映射信息是用以指出上述第二存储单元阵列中至少一存储单元所对应的至少一位置的信息;其中上述第二存储单元阵列较上述第一存储单元阵列可持续更多的程序周期。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |