| 主权项 |
1.可补偿片上LC网络损耗的镜像抑制滤波装置，其特征在于，片上含有依次串接的低噪声放大器、镜像抑制滤波器以及自动Q值调谐电路，其中：低噪声放大器，含有：MOS晶体管(M0)，栅极依次串接电感(Lg1)、电容(Cp1)后接输入电压Vin +，该(M0)管的源极接电感(Ls1)；MOS晶体管(M1)，栅极依次串接电感(Lg2)、电容(Cp2)后接输入电压Vin -，该(M1)管的源极接电感(Ls2)；所述(M0)管的栅极和(M1)管的栅极之间依次串接着电阻(RB1)和电阻(RB2)，串接点上有直流偏压(VB)；尾电流源(IS)，一端同时与电感(Ls1)、(Ls2)的另一端相连，而尾电流源(IS)的另一端接地；MOS晶体管(M2)，漏极作为该低噪声放大器的一个输出端(Vout -)，又同时连接着电感(Ld1)，栅极与该电感(Ld1)的另一端共同接电源(VDD)，而该(M2)的源极和所述(M0)管的漏极相连后构成该(M0)管输出电流的分流点(X)；MOS晶体管(M3)，漏极作为该低噪声放大器的另一个输出端(Vout +)，同时该漏极又连接着一个电感(Ld2)，栅极与该电感(Ld2)的另一端相连后接电源(VDD)，而该(M3)的源极和所述(M1)管的漏极相连后构成该(M1)管的输出电流的分流点(Y)；镜像抑制滤波器，含有：构成互耦对的MOS晶体管(M4)和(M5)，所述(M4)管的源极和(M5)管的源极相连后接地，该(M4)管的栅极与(M5)管的漏极相连，而(M5)管的栅极与(M4)管的漏极相连，所述(M4)管的漏极、(M5)管的漏极分别构成包络信号输出端(M)和(N)，所述(M)、(N)两端分别与二极管(D1)和(D2)的正极相连，而该两个二极管(D1)、(D2)的负极相连后接镜像频率控制电压输入端(VFC)；第一LC网络，由电容(CB1)和电感(Ln2)串接而成，串接点在该(N)端，电容(CB1)的另一端与所述(X)端相连；第二LC网络，由电容(CB2)和电感(Ln1)串接而成，串接点在该(M)端，电容(CB2)的另一端与所述(Y)端相连；数控电流源，输入端接电源(VDD)，控制信号输入端与所述片上自动Q值调谐电路输出端相连，输出端同时接所述电感(Ln1)和(Ln2)的另一端，输出电流<math> <mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>q</mi> </msub> <mo>=</mo> <mrow> <mo>(</mo> <munderover> <mi>Σ</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>0</mn> </mrow> <mn>8</mn> </munderover> <msup> <mn>2</mn> <msub> <mi>b</mi> <mn>1</mn> </msub> </msup> <mo>-</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> <msub> <mi>I</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>,</mo> </mrow> </math> 其中：I0为一个单位电流，bi为该数控电流源的9位数字控制信号中的第i位，i＝0，1，…，8；片上自动Q值调谐电路，含有包络检测器、比较器和数字信号处理器，其中：包络检测器，含有：MOS晶体管(M6)，栅极与镜像抑制滤波器中的包络信号输出端(N)相连；MOS晶体管(M7)，栅极与镜像抑制滤波器中的包络信号输出端(M)相连，漏极与所述(M6)管的漏极相连后接电源(VDD)；电流源(IT)，一端同时与所述(M6)管的源极、所述(M7)管的源极以及电容(CT)的一端相连后构成所述包络检测器输出端(T)，而电流源(IT)的另一端和电容(CT)的另一端接地；比较器，该比较器的正输入端与所述包络检测器输出端(T)相连，负输入端接直流参考电压(VREF)，而该比较器的输出为一位数字信号，高电平表示所述包络检测器的输入端存在信号，镜像抑制滤波器产生了振荡，否则，便反之；数字信号处理器，输入端与所述比较器的输出端相连，所述数字信号处理器采用逐次逼近算法来确定所述数控电流源的9位输入数字控制信号b0，b1，…，b8的值，所述逐次逼近算法按以下步骤进行：a.在第1个时钟周期，把数控电流源的数字控制信号置为000000000，包络检测器的输入信号为0，比较器的输出为低电平；b.在第2个时钟周期，把数控电流源的数字控制信号置为100000000，若比较器的输出为高电平，则关键数字控制信号的值应小于100000000，其最高位(b8)应为0，否则最高位(b8)应为1；c.按步骤b所述方法来判断该数字控制信号的次高位(b7)；d.依此类推，一直到第9位(b0)为止，得到一个既不会使镜像抑制滤波器产生振荡，但又使互耦对提供的能量最接近于LC网络损耗的数字控制信号值。 |
