曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供能够均匀地形成半透射部分的光致抗蚀剂层的膜厚的曝光掩模，而且提供半导体器件的制造方法，其通过使用该曝光掩模来减少在制造TFT衬底时所需的光蚀刻步骤的数目(掩模数量)。本发明使用一种曝光掩模，其包括透射部分、遮光部分、以及反复重复形成线和间隔的具有光强度降低功能的半透射部分，其中，当曝光设备的分辨率为n、投影放大率为1/m(m≥1)时，所述半透射部分的遮光材料的线宽L和在遮光材料之间的间隔宽S的总和与n、m的关系满足(2n/3)×m≤L+S≤(6n/5)×m的条件式。

主权项

1.一种曝光掩模，具有透射部分、遮光部分以及半透射部分，其中，在以曝光设备的分辨率为n、投影放大率为1/m，m≥1时，所述半透射部分的遮光材料的线宽L和在遮光材料之间的间隔宽S的总和与n、m的关系满足(n/3)×m≤L+S≤(3n/2)×m的条件式。