集成电路及其形成方法

摘要

本发明公开了一种通过在体晶片上的硅锗鳍片上外延生长硅鳍片对形成晶体管对的方法。在一个实施例中，鳍片之间的栅极导体与体晶片上的导体层隔离，由此形成前栅极。在另一个实施例中，鳍片之间的栅极导体与体晶片上的导体层接触，由此形成背栅极。在另外一个实施例中，在同一体晶片上同时形成前面两种结构。本方法允许形成的晶体管对具有各种特征(例如，应变鳍片，两个鳍片之间的间隔约为单个鳍片宽度的0.5到3倍，每对鳍片的内侧壁上的第一介质层与每对鳍片的外侧壁上的第二介质层具有不同的厚度和/或不同的介质材料等)。

主权项

1.一种集成电路结构，包括：体晶片；硅锗导体层，在所述体晶片上；绝缘层，在所述导体层上；硅鳍片对，在所述绝缘层上，其中所述硅鳍片对以一间隔分开，所述间隔近似等于一个所述硅鳍片的宽度；以及栅极导体，在所述硅鳍片对之间的所述间隔中。