| 发明名称 | 用于减少等离子体反应器蚀刻速率漂移的温控热边缘环组件 | ||
| 摘要 | 适合在等离子体反应室中环绕衬底支架的温控热边缘环组件。该组件包含导电下环，陶瓷中间环，和上环。中间环在下环上面，适合通过下环粘结到RF电极。上环在中间环上面，其上表面暴露于等离子体反应室内部。 | ||
| 申请公布号 | CN1914712A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200480041421.3 | 申请日期 | 2004.12.10 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 安德莱斯·费舍;彼得·罗文哈特 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);B24B37/04(2006.01);B24B41/06(2006.01);B24B7/22(2006.01);B24B5/00(2006.01);B24B29/00(2006.01);C23F1/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.温控热边缘环组件，适合于环绕等离子体反应室中的半导体衬底支架，该组件包含：导电下环；陶瓷中间环，该中间环覆于下环之上，中间环适合于通过下环附着到RF电极；和上环，该上环覆于中间环之上，其中该上环具有暴露于等离子体反应室内部的上表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||