| 发明名称 | 薄膜集成电路的制造方法和元件基片 | ||
| 摘要 | 用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求预计会增加，且需要进一步降低成本。本发明的一个目的在于提供一种能以更低成本生产的IC芯片结构和过程。考虑到上述目的，本发明的一项特点在于提供在绝缘基片上形成分离层、并在分离层上形成具有半导体膜作为反应区的薄膜集成电路的步骤，其中不分离上述薄膜集成电路。与将芯片去除圆形硅晶片的情况相比，在使用绝缘基片的情况中对母基片的形状的限制较少。因此，可以实现IC芯片成本的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1914735A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200580004073.7 | 申请日期 | 2005.01.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;大力浩二 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G06K19/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种用于制造薄膜集成电路的方法，包括以下步骤：在绝缘基片上形成分离层；在所述分离层上形成至少两个薄膜集成电路；在所述两个薄膜集成电路之间形成一凹槽以暴露所述分离层；在所述两个薄膜集成电路上附着具备开口和天线的天线基片；以及通过将蚀刻剂引入所述开口并去除所述分离层来分离所述绝缘基片，其中通过所述天线基片集成所述两个薄膜集成电路。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||